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荷電粒子装置、荷電粒子の照射方法、および分析装置
- 专利权人:
- 株式会社日立製作所
- 发明人:
- 孝橋 照生
- 申请号:
- JP20170524301
- 公开号:
- JPWO2016207961(A1)
- 申请日:
- 2015.06.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要:
- 本発明の荷電粒子線装置は、荷電粒子源と試料台の間に配置されて荷電粒子を荷電粒子束として試料台方向へ搬送する搬送光学系を備え、前記搬送光学系は、荷電粒子束(406)の進路と垂直成分を有する磁場(403)を発生する磁場発生部(402)と、荷電粒子束の進路と垂直成分を有する電場を発生する電場発生部(401)と、磁場発生部および電場発生部を通過した荷電粒子束の少なくとも一部を遮蔽する遮蔽部(408)とを有する。そして、磁場の垂直成分は磁場勾配を持ち、電場の垂直成分は荷電粒子束が受けるローレンツ力と逆方向に静電気力を与える。これにより、1次電子線のスピン偏極度を、増加させることも含めて調整可能な光学系を提供できるようになった。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/