The present invention refers to a photosensitive pixel structure (10) comprising a substrate layer (1 5) and an interface layer (50), wherein the interface layer (50) is provided at least partially on a first surface of the substrate layer (15) and wherein the interface layer (50) at least partially comprises a first material layer (51) and the interface layer (50) at least partially comprises a second material layer (52) covering the first material layer (51), such that the first material layer (51) is at least partially sandwiched between the second material layer (52) and the substrate (15). The invention further refers to an array and an implant comprising such a pixel structure as well as a method to provide a pixel structure, wherein further the second material layer comprises a thickness chosen from the range of 200nm-600nm, preferably from the range of 300nm-500nm, most preferably from the range of 320nm - 450nm.La présente invention se rapporte à une structure de pixels photosensibles (10) comprenant une couche de substrat (15) et une couche d'interface (50), la couche d'interface (50) étant présente au moins partiellement sur une première surface de la couche de substrat (15). La couche d'interface (50) comprenant au moins partiellement une première couche de matériau (51) et la couche d'interface (50) comrenant au moins partiellement une seconde couche de matériau (52) recouvrant la première couche de matériau (51), de telle sorte que la première couche de matériau (51) est au moins partiellement prise en sandwich entre la seconde couche de matériau (52) et le substrat (15). L'invention concerne également un réseau et un implant comprenant une telle structure de pixels, ainsi qu'un procédé pour fournir une structure de pixels, la seconde couche de matériau comprenant en outre une épaisseur choisie dans la plage de 200 nm à 600 nm, de préférence dans la plage de 300 nm à 500 nm, idéalement dans la plage de 320 nm à 450 nm.
