紫外线辐射发光二极管装置和流体处理系统
- 专利权人:
- 特洛伊科技有限公司
- 发明人:
- 戈登·道格拉斯·奈特,吉姆·弗雷泽,迈克尔·萨斯格斯
- 申请号：
- CN200880017691.9
- 公开号：
- CN101681963B
- 申请日:
- 2008.06.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 傅强国
- 摘要：
- 本发明揭示了一种紫外线辐射装置。该装置包括基部，多个连接到所述基部的半导体结构以及连接到所述多个半导体结构的紫外线辐射透射元件。优选地：(i)至少一个发光二极管与所述紫外线辐射透射元件直接接触，或(ii)在所述至少一个发光二极管和所述紫外线辐射透射元件之间有间距，所述间距基本上完全不含空气。本发明还揭示了一种采用紫外线辐射装置的流体处理系统。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
