SOO, B. Chia,TING, Kang,ZHENG, Zhong,WU, Benjamin,ZHANG, Yulong
申请号：
USUS2019/027933
公开号：
WO2019/204491A1
申请日:
2019.04.17
申请国别(地区):
US
年份:
2019
代理人:
摘要：
The application discloses an implantable device, comprising a galvanic redox system formed on a body substrate of the implantable device. The implantable device has a non-zero surface potential when it is deployed. The galvanic redox system comprises a first metal site and a second metal site, the first metal site comprising a first metal having a first metal electrode potential (FMEP) and the second metal site comprising a second metal having a second metal electrode potential (SMEP), which FMEP being lower than SMEP and SMEP being substantially different such that the implantable device is galvanized when it is deployed. Methods of making and using the implantable device are also disclosed.L'invention concerne un dispositif implantable, comprenant un système d'oxydo-réduction galvanique formé sur un substrat de corps du dispositif implantable. Le dispositif implantable a un potentiel de surface non nul lorsqu'il est déployé. Le système d'oxydo-réduction galvanique comprend un premier site métallique et un second site métallique, le premier site métallique comprenant un premier métal ayant un premier potentiel d'électrode métallique (FMEP) et le second site métallique comprenant un second métal ayant un second potentiel d'électrode métallique (SMEP), lequel FMEP est inférieur au SMEP et le SMEP est sensiblement différent de telle sorte que le dispositif implantable est galvanisé lorsqu'il est déployé. L'invention concerne également des procédés de fabrication et d'utilisation du dispositif implantable.
