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基于遗传算法的磁控溅射速率空间分布反演方法
专利权人:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人:
喻波,姚舜,金春水
申请号:
CN201510962160.9
公开号:
CN105608494A
申请日:
2015.12.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
王莹
摘要:
本发明公开了一种基于遗传算法的磁控溅射速率空间分布反演方法,属于极紫外光刻技术领域。解决了现有技术中磁控溅射速率空间分布的确定方法效率低,成本高的问题。本发明的反演方法,步骤如下:先选取三个到五个不同基片高度下的膜厚分布曲线,采用遗传算法反演磁控溅射源分布特性参数;然后通过得到的磁控溅射源分布特性参数计算磁控溅射速率空间分布。该方法大大减少了获得溅射速率空间分布的时间,显著降低了获得溅射速率空间分布的成本。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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