PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation imaging device capable of reducing the amount of exposure in a pixel transistor.SOLUTION: A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11. The radiation is wavelength-converted in the scintillator layer 117 and then passes through the second substrate 114 subsequently, reaches the photoelectric conversion part 111 provided for the first substrate 11. The light after the wavelength conversion is received with the photodiode, and an electric signal corresponding to the amount of received light is acquired. Since the second substrate 114 has a radiation blocking function, the radiation that has passed through the scintillator layer 117 without the wavelength conversion is difficult to reach the first substrate 11.COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT【課題】画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供する。【解決手段】放射線撮像装置1は、画素部12において、第1基板11上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部111、絶縁膜112、保護膜113、第2基板114、レンズアレイ115、平坦化膜116およびシンチレータ層117がこの順に設けられている。放射線は、シンチレータ層117において波長変換された後、第2基板114を透過して第1基板11に設けられた光電変換部111へ到達する。波長変換後の光が、フォトダイオードにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号が取得される。第2基板114が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層117を透過した放射線が第1基板11へ到達しにくくなる。【選択図】図2
