BHAT, Jerome, Chandra,CHENG, Jim, Chih-min,OLSEN, Richard, Ian
申请号：
USUS2019/014573
公开号：
WO2019/144129A1
申请日:
2019.01.22
申请国别(地区):
US
年份:
2019
代理人:
摘要：
An electrochemical sensor device that is efficiently and economically produced at the chip level for a variety of applications is disclosed. In some aspects, the device is made on or using a wafer technology whereby a sensor chamber is created by said wafer and a gas port allows for a working electrode of the sensor to detect certain gases. Large scale production is possible using wafer technology where individual sensors are produced from one or more common wafers. Integrated circuits are made in or on the wafers in an integrated way so that the wafers provide the substrate for the integrated circuitry and interconnects as well as providing the definition of the chambers in which the gas sensors are disposed.L'invention concerne un dispositif de capteur électrochimique qui est produit de manière efficace et économique au niveau de la puce pour une variété d'applications. Selon certains aspects, le dispositif est fabriqué sur ou à l'aide d'une technologie de wafer, une chambre de capteur étant créée par ledit wafer et un orifice de gaz permettant à une électrode de travail du capteur de détecter certains gaz. Une production à grande échelle est possible à l'aide d'une technologie de wafer dans laquelle des capteurs individuels sont produits à partir d'un ou de plusieurs wafers communs. Des circuits intégrés sont réalisés dans ou sur les wafers de façon intégrée, de telle sorte que les wafers fournissent le substrat pour le circuit intégré et les interconnexions ainsi que la définition des chambres dans lesquelles les capteurs de gaz sont disposés.
