A high frequency device capable of selectively controlling a penetration depth of a skin using a magnetic field, according to the present invention, generates a magnetic field at a position orthogonal to a direction in which high frequency current flows and directs a force acting on the high frequency current toward the inside of the skin by Fleming's left hand rule, thereby allowing the high frequency current to flow further inside the skin to heat the skin to a dermal layer thereof.La présente invention concerne un dispositif à haute fréquence capable de réguler sélectivement une profondeur de pénétration d'une peau au moyen d'un champ magnétique, selon la présente invention, génère un champ magnétique à une position orthogonale à une direction dans laquelle le courant à haute fréquence circule et dirige une force exercée sur le courant à haute fréquence vers l'intérieur de la peau par la règle de la main gauche de Fleming, de façon à permettre que le courant à haute fréquence circule plus loin à l'intérieur de la peau pour chauffer la peau jusqu'à une couche dermique de celle-ci.본 발명에서 제안하고 있는 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 따르면, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장을 생성하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 함으로써, 고주파 전류가 보다 피부의 안쪽에 흐르게 하여 피부의 진피층까지 가열시킬 수 있다.
