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采用模糊遗传算法优化两层埋入式电阻布局的方法
- 专利权人:
- 桂林航天工业学院
- 发明人:
- 邓莉,李天明,黄春跃,张瑞宾,庞前娟,黄伟
- 申请号：
- CN201410606373.3
- 公开号：
- CN104331557A
- 申请日:
- 2014.10.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 巢雄辉
- 摘要：
- 本发明的采用模糊遗传算法优化两层埋入式电阻布局的方法，包括：对上下层电阻分别实施遗传操作，依次执行初始种群生成、交叉、变异和进化逆转操作，共用模糊逻辑控制器输出的交叉概率Pc和变异概率Pm，在计算适应度函数和局部灾变时，将两个种群作为整体进行评价及更新，种群更新后重新判断，满足条件则对种群实施局部灾变。与采用标准遗传算法进行热布局优化的方法相比，本发明在保持种群多样性及搜索全局最优解方面具有明显优势，且ANSYS温度场分布以及实验样板的热成像结果显示其最高温度及最大温差都有较大幅度降低。根据优化结果获得的两层电子元件热布局规则除适用于埋入式电阻，对其它电子元件的热布局设计也具有指导作用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
