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一种基于边缘场检测的二维EIT电极阵列结构优化方法
专利权人:
北京航空航天大学
发明人:
孙江涛,梁小凤,徐立军,田文斌,谢跃东
申请号:
CN201911292494.4
公开号:
CN110840457A
申请日:
2019.12.12
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明公开了一种基于边缘场检测的二维EIT电极阵列结构优化方法,涉及电阻抗层析成像技术在膀胱尿量监测领域。首先针对膀胱功能障碍患者,在该患者的膀胱底面往上距离h的位置,在人体周身表面设置n个电极,电极覆盖的弧长占人体周长的比例为α;然后按照初始值距离h,电极n以及比例α,将各电极布置在该膀胱功能障碍患者身上,构建重建图像计算该患者的膀胱体积。分别对比例α,电极个数n和距离h进行优化,最后按照最优的最优距离h,电极个数n和比例α对膀胱功能障碍患者身上的实际电极进行调整,并实时监测重建图像,计算该患者的膀胱体积。当患者的膀胱体积达到设定的阈值时,对患者进行预警。本发明针对性的提高了膀胱区域灵敏度,并提出相应的评价指标。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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