The present invention, the object (12) relates to irradiation apparatus for irradiating an electron beam (16) (36). The irradiation device (36) comprises at least one electron beam radiation source (10), a first at least one sensor device for detecting the dose control parameters of the electron beam (16) having an electron exit window (20) (56) and a. Electron beam radiation source (10), as the electron beam emitted from an electron exit window (20) (16) passes through the sensing region (58) of the sensor device (56), passes through a sensor device (56) It is adapted to. A plurality of conductors the sensor device comprises (64), each having a conductor surface (68) to the sensing region (58) of the sensor device (56), the conductor surface (68) of electrons of said electron beam (16) It is adapted to be exposed to. The present invention also relates to a method.本発明は、対象物(12)を電子ビーム(16)で照射するための照射装置(36)に関するものである。この照射装置(36)は、電子射出窓(20)を有する少なくとも1つの電子ビーム放射源(10)と、電子ビーム(16)の第1の線量制御パラメータを検出するための少なくとも1つのセンサデバイス(56)とを備える。電子ビーム放射源(10)は、電子射出窓(20)から放射された電子ビーム(16)がセンサデバイス(56)の感知領域(58)内を通り抜けるように、センサデバイス(56)を通過するように適合されている。前記センサデバイスが備える複数の導体(64)は、それぞれがセンサデバイス(56)の感知領域(58)に導体表面(68)を有し、導体表面(68)は前記電子ビーム(16)の電子に暴露されるように適合されている。本発明は方法にも関するものである。
