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超音波プローブ
专利权人:
SEIKO EPSON CORP
发明人:
NISHIWAKI MANABU,西脇 学
申请号:
JP2014097405
公开号:
JP2015216195A
申请日:
2014.05.09
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrasonic probe with a piezoelectric device, which enables the increase in a piezoelectric strain constant without causing crack in a film.SOLUTION: An ultrasonic probe comprises: a device chip 17 and a housing which supports the device chip 17. The device chip 17 includes: a substrate 21 a lower electrode 24 formed on the substrate 21 and a piezoelectric film 26 formed on the lower electrode 24. The piezoelectric film 26 has a rhombohedral crystal structure. As to the crystal structure, the orientation degree of (100) crystal plane to the sum total of reflection intensities of (100), (110), (111), (210) and (211) crystal planes measured by an X-ray diffraction thin film method is 30% or more.COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT【課題】膜内にクラックを発生させることなく圧電ひずみ定数を向上させることができる圧電素子を備えた超音波プローブを提供する。【解決手段】素子チップ17と、素子チップ17を支持する筐体と、を備え、素子チップ17は基板21に形成された下部電極24と、この下部電極24上に形成された圧電体膜26と、を備え、圧電体膜26は菱面体晶系の結晶構造を備え、かつ、その結晶構造の、X線回折薄膜法で測定した(100)、(110)、(111)、(210)、及び(211)の結晶面反射強度の総和に対する(100)面の配向度が、30%以上である。【選択図】図4
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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