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一种粉葛单芽茎段增殖及一步成苗培养方法
- 专利权人:
- 广西壮族自治区农业科学院
- 发明人:
- 严华兵,肖亮,曾文丹,尚小红,曹升,陆柳英,赖大欣
- 申请号：
- CN202010175228.X
- 公开号：
- CN111149704A
- 申请日:
- 2020.13.03
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种粉葛单芽茎段增殖及一步成苗培养方法,具体包括如下步骤:S1.外植体处理:选取生长健壮、无病虫害的幼嫩藤蔓,浸泡消毒然后用无菌水冲洗,最后用无菌滤纸吸干茎段表面水分备用;S2.无菌苗培养:在无菌条件下,将经过S1处理的藤蔓切成带芽的茎段,将生物学下端垂直竖插于初代培养基中培养,获得无菌苗;S3.单芽茎段增殖生根诱导:在无菌条件下,将上步骤所获得无菌苗切成带一个腋芽的单芽茎段转接到间歇式浸没培养装置进行继代增殖生根培养;S4.组培苗移栽成活:将株高3‑4cm、生长健壮、根系发达的无菌瓶苗从培养室移入温室大棚炼苗,然后取出幼苗,洗净附着的液体培养基,栽入营养钵中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
