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一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜及其制备方法
- 专利权人:
- 吉林大学
- 发明人:
- 胡超权,郑伟涛,顾志清
- 申请号：
- CN201510003705.3
- 公开号：
- CN104532187B
- 申请日:
- 2015.01.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 朱世林`王寿珍
- 摘要：
- 本发明涉及一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜及其制备方法，其特征在于膜的氮含量的范围为57.1％‑61.5％，膜具有的压应力为2.0‑4.0GPa，其通过制备过程中氩离子轰击实现。采用射频反应溅射法，以高纯Hf为靶源，Ar和N2作为放电气体，在单晶Si基底和光学玻璃上沉积氮化铪薄膜，氮气流速比为50％‑80％，膜生长过程中引入氩离子轰击，样品托盘上施加负电压的范围为‑70～‑90V。该制备方法工艺简单，效率高。所得到的氮化铪膜完全由立方磷化钍相构成，不含有其他的相，它具有可见光‑红外透明的特性，并对典型红外窗口材料Ge具有增透功能，它是一种新型的红外增透保护膜材料，可以应用与极端服役条件下的航空航天光学器件的表面防护。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
