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一种锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料及其制备方法与应用
专利权人:
中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院
发明人:
邓君,李西兰,罗高兴,刘云
申请号:
CN202111580245.2
公开号:
CN114394602A
申请日:
2021.12.22
申请国别(地区):
CN
年份:
2022
代理人:
摘要:
本发明公开了一种锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料及其制备方法与应用。本发明通过正硅酸乙酯在乙醇、氨水环境下制备得到二氧化硅纳米颗粒;可溶性锰盐在可溶性铵盐和氨水环境下,与二氧化硅纳米颗粒水悬浮液混合,通过水热反应,制备得到锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料。本发明在合成过程中无需用到强生物毒性的表面活性剂如CTAB、CTAC,制备方法更加温和、简单。该锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料,SiO2刻蚀形成中空介孔结构与锰的掺杂同步进行,形成硅酸锰结构Mn‑HMSN,锰掺杂均匀,且尺寸为110nm左右,在炎症微环境中能显著增强磁共振效果,具有制备靶向药物的潜力。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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