Strahlungswandler, bei dem auf einem Substrat eine aus nadelförmigen Kristallen gebildete Leuchtstoffschicht aufgebracht ist, wobei die Kristalle aus mit Tl dotiertem CsJ bestehen, wobei der Gehalt an Tl im Bereich von 200 ppm bis 2000 ppm liegt, wobei eine Konzentration an Tl in den nadelförmigen Kristallen entlang einer zur Substratoberfläche im Wesentlichen senkrecht verlaufenden z-Achse der Kristalle um nicht mehr als 50% gegenüber einer mittleren Konzentration an Tl abweicht, wobei das CsJ als Codotierung ein Alkalimetall enthält, und wobei ein Emissionsmaximum der Leuchtstoffschicht im Bereich von 500 bis 520 nm liegt.Radiation converter, in which, on a substrate a of acicular crystals formed on the other side of the phosphor layer is applied, wherein the crystals doped with tl csj, wherein the content of tl in the range of 200 ppm to 2000 ppm, wherein a concentration of tl in the needle-shaped crystals along a to the substrate surface essentially vertically extending z - axis of the crystals in order to not more than 50% compared to an average concentration of tl, the csj as co-doping an alkali metal, and wherein a emission maximum of the phosphor layer in the range from 500 to 520 nm.
