建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法

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专利权人:

中国科学院昆明植物研究所

发明人:

何俊,张雪梅,程治英,李德铢

申请号：

CN201310369919.3

公开号：

CN103392608B

申请日:

2013.08.22

申请国别(地区):

中国

年份:

2015

代理人:

马晓青

摘要：

提供建立梳唇石斛（DendrobiumstrongylanthumRchb.f.）离体持续开花体系的方法，取梳唇石斛外植体，进行离体培养，培养温度为25±2℃，光照强度为20μmol/（m²·s），光照12h/d，基本培养基为1/2MS，诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP₃₃₃0.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%，所有培养基PH值为5.8，加5.6g/L琼脂固化。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/