In a capacitive-detection-type ultrasonic transducer, variation in the film thickness of a membrane of each cell in a cell array of the ultrasonic transducer causes the device characteristics of cells in the cell array to be nonuniform. Provided is an ultrasonic transducer provided with a CMUT chip 301 including a cell array region CAR in which a plurality of cells are formed and a peripheral region PER adjoining the cell array region CAR, wherein a beam structure 201 is disposed in the cell array region CAR, and a plurality of pattern structures 311 corresponding to the beam structure 201 are disposed in the peripheral region PER. This reduces the difference between the unit surface area of the cell array region CAR and the unit surface area of the peripheral region PER. As a result, it is possible to improve uniformity in the film thickness of an insulating film covering the beam structure 201 and the pattern structures 311.La présente invention concerne un transducteur ultrasonique de type à détection capacitive dans lequel la variation d'épaisseur de film d'une membrane de chaque cellule dans un réseau de cellules du transducteur ultrasonique provoque la non-uniformité des caractéristiques de dispositif de cellules dans le réseau de cellules. L'invention concerne un transducteur ultrasonique pourvu d'une puce CMUT (301) comprenant une région de réseau de cellules CAR dans laquelle sont formées une pluralité de cellules et une région périphérique PER adjacente à la région de réseau de cellules CAR, une structure de faisceau (201) étant disposée dans la région de réseau de cellules CAR et une pluralité de structures de motif (311) correspondant à la structure de faisceau (201) étant disposées dans la région périphérique PER. Cela réduit la différence entre la surface d'unité de la région de réseau de cellules CAR et la surface d'unité de la région périphérique PER. Par conséquent, il est possible d'améliorer l'uniformité dans l'épaisseur de film d'un film isolant
