BREL, OLIVIER,BREL, Olivier,BREL, GENEVIEVE,BREL, Genevieve,KERVRAN, YANNICK,KERVRAN, Yannick,MOHAMMED-BRAHIM, TAYEB,MOHAMMED-BRAHIM, Tayeb,CRAN, SAMUEL,CRAN, Samuel,LE MONIES DE SAGAZAN, OLIVIER,LE M
申请号：
FRFR2014/053153
公开号：
WO2015/082844A1
申请日:
2014.12.03
申请国别(地区):
WO
年份:
2015
代理人:
摘要：
The invention relates to a system (1) and a method for determining at least part of the shape of a three-dimensional object (2). The system comprises a pressure-field-detecting member (6), arranged so that the object can be applied thereto, as well as: elements (5) for connecting the detector member to means (3) for calculating the distribution of measured pressures in order to deduce the shape therefrom, said calculation means (3), and means (9) for applying the object to the detector member with a uniform pressure. The detector member (6) comprises a piece (14) provided with a sheet (15) of flexible plastic material solidly connected to a grid (16) of pressure sensors (17), said grid comprising an intermediate layer. The intermediate layer has a resistivity that varies according to the pressure and includes a microcrystalline silicon semiconductor wafer having a thickness less than or equal to 50 nanometres.Linvention concerne un système (1) et un procédé de détermination de la forme au moins partielle dun objet (2) tridimensionnel. Il comprend un organe (6) détecteur dun champ de pressions agencé pour pouvoir y appliquer lobjet, des éléments (5) de connexion de lorgane détecteur avec des moyens (3) de calcul de la répartition des pressions mesurées pour en déduire ladite forme, lesdits moyens (3) de calcul et des moyens (9) applicateurs de lobjet sur lorgane détecteur avec une pression homogène. Lorgane détecteur (6) comprend une pièce (14) munie dune feuille (15) en matière plastique souple rendue solidaire dune grille (16) de capteurs (17) de pression, la grille comprenant une couche intermédiaire de résistivité variable en fonction de la pression comportant une tranche en silicium microcristallin semi-conducteur dépaisseur inférieure ou égale à 50 nano mètres.
