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一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统
- 专利权人:
- 中国人民解放军空军军医大学
- 发明人:
- 刘本源,史学涛,季振宇,付峰,杨滨,代萌,刘锐岗,徐灿华
- 申请号：
- CN202211419579.6
- 公开号：
- CN115778358A
- 申请日:
- 2022.11.14
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统，设置脑EIT系统的激励，测量电阻抗数据，确定降温段、深低温段和复温段，利用脑EIT系统同步采集单通道或多通道温度数据；将单通道或多通道温度数据与电阻抗数据进行同步处理；建立具备个体化差异的脑EIT温度补偿模型，利用同步处理后降温段的温度数据训练脑EIT温度补偿模型，计算温度补偿系数；通过采集当前时刻和参考时刻的多点温度测量数据，根据温度补偿系数修正电阻抗数据，并对温度补偿后的数据进行EIT成像，实现脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿。本发明利用受控降温的特点，实现多点测温和脑EIT的同步采集，并训练得到个体化的温度补偿系数，有效的补偿温度变化对EIT测量成像的影响。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
