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一种膜片集成式微带铁氧体环行器
专利权人:
电子科技大学
发明人:
彭斌,张万里,汪渊,张文旭,蒋洪川
申请号:
CN200910167733.3
公开号:
CN101667673B
申请日:
2009.09.23
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
詹福五
摘要:
该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器,包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜,附着于基片上部的铁氧体膜片,紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段,位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽,并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜,其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高,而结阻抗则大幅度降低,在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低;从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下,可有效减小其体积、厚度;实现小型化、平面化、便于微波电路的集成,促进单片微波集成电路发展等特点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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