优化用于消炎刺激的电极放置的装置和方法
- 专利权人:
- 赛博恩特医疗器械公司
- 发明人:
- M·A·法尔蒂斯
- 申请号：
- CN200980145938.X
- 公开号：
- CN102215909B
- 申请日:
- 2009.11.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 在此描述了用于选择刺激电极的最优位置的方法、装置和系统，尤其是用于优化用于刺激炎性反射并从而抑制炎症的刺激电极的位置的方法、装置和系统。此处描述的方法、装置和系统可以一般包括在施加刺激脉冲之后产生的一个或多个伪迹模态的分析。这些伪迹模态(例如EMG、ECG等)中的一个或多个可以被检测并被用于产生电极的位置相对于目标的适合度的可比较的指示，该目标诸如类似于迷走神经的炎性反射的一部分。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
