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粒子射线照射装置、粒子射线治疗装置及粒子射线照射方法
专利权人:
三菱电机株式会社
发明人:
岩田高明
申请号:
CN200980160948.0
公开号:
CN102470255B
申请日:
2009.08.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2014
代理人:
摘要:
本发明的目的在于获得可消除扫描电磁铁的磁滞影响且可实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括:磁场传感器(20),该磁场传感器(20)对扫描电磁铁(3)的磁场进行测定;以及照射控制装置(5),该照射控制装置(5)基于由磁场传感器(20)所测定的测定磁场(Bs)及带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi),对扫描电磁铁(3)进行控制。照射控制装置(5)具有:逆映射运算器(22),该逆映射运算器(22)根据带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)运算出目标磁场(Bi);以及补偿器(23),该补偿器(23)输出对扫描电磁铁(3)的控制输入(Io),该控制输入(Io)将目标磁场(Bi)与测定磁场(Bs)的磁场误差(Be)控制在规定的阈值以下。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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