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一种高电活性修饰电极的制备方法及其应用
- 专利权人:
- 鲁东大学
- 发明人:
- 袁柏青,徐春荧,张少华,金娟,牛余忠,陈厚,柏良久
- 申请号：
- CN201811045990.5
- 公开号：
- CN108956739A
- 申请日:
- 2018.09.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 马国冉
- 摘要：
- 本发明涉及一种高电活性修饰电极的制备方法及其应用。该制备方法步骤包括：首先在预先处理的玻碳电极上修饰有序介孔碳CMK‑3薄膜，再修饰全氟化酞箐钴分子层，得到高电活性修饰电极CoPcF16‑CMK‑3/GCE。本发明还涉及一种高电活性修饰电极在半胱氨酸检测中的应用。有益效果：通过该方法制备的修饰电极，呈现5对氧化还原峰，表现出优异的电化学活性，制备方法简单、牢固。本申请制备的高电化学活性电极不仅能催化巯基的氧化，还能催化其氧化产物的还原，并且对半胱氨酸和谷胱甘肽产生了电化学氧化还原差别，可用于在高浓度谷胱甘肽存在条件下选择性识别半胱氨酸。此外，该方法实现了在较负电位范围内半胱氨酸检测，解决了传统电氧化方法检测半胱氨酸时存在多巴胺、抗坏血酸、尿酸等易氧化干扰物的影响问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
