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走路草坪及其建造方法
专利权人:
内蒙古蒙草生态环境(集团)股份有限公司;北京快乐小草运动草科技有限公司
发明人:
巩振华,徐玉芹,肖荣,陈玉凤,张慧娟,张文彪,索明春,高宏锦
申请号:
CN201810643591.2
公开号:
CN108739089A
申请日:
2018.06.20
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
李青
摘要:
本发明公开了一种走路草坪,其包括支撑层和位于支撑层上的种植层,种植层包括根系种植基质层和植草格,根系种植基质层铺设于支撑层的上部,且一层植草格位于根系种植基质层内,根系种植基质层没过植草格3~5cm。其建造方法包括:在支撑层上铺设一层植草格,再往植草格内填充和铺设根系种植基质,并使根系种植基质没过植草格3~5cm,形成根系种植基质层。通过在草坪的根系种植层中设置植草格并将其设置在合适的位置,进而增强了根系种植层的抗压性能,使得根系种植层的土壤不容易在踩踏过程中发生土壤板结,从而提高了草坪的抗踩踏性能。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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