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一种压阻式加速度传感器及其制造方法
专利权人:
浙江工业大学
发明人:
蒋恒,孙笠,董健
申请号:
CN201410263793.6
公开号:
CN104062463B
申请日:
2014.06.13
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
黄美娟`王兵
摘要:
一种压阻式加速度传感器及其制造方法。本发明公开了一种基于阳极键合封装的压阻式加速度传感器,所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构;所述的硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有质量块、淡硼扩散压阻的悬臂梁作为压阻式加速度传感器结构,并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装,第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合,第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点;本发明传感器结构新颖、重量轻、体积小、稳定性好、抗污染能力强、可靠性好,并且在航空航天、军事、汽车、环境监测等领域具有一定的应用前景。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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