一种HfO2基铁电材料的使用方法
- 专利权人:
- 电子科技大学
- 发明人:
- 毕磊,黄飞,王艳
- 申请号:
- CN201611033497.2
- 公开号:
- CN106783531A
- 申请日:
- 2016.11.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 闫树平
- 摘要:
- 本发明属于半导体器件及空间技术应用领域,特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法,基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力,在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。对发展具有抗辐照能力的非易失性铁电存储器及其在航空航天、核工业、医疗业等行业的应用具有重要的意义。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心