您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

一种HfO2基铁电材料的使用方法
专利权人:
电子科技大学
发明人:
毕磊,黄飞,王艳
申请号:
CN201611033497.2
公开号:
CN106783531A
申请日:
2016.11.23
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
闫树平
摘要:
本发明属于半导体器件及空间技术应用领域,特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法,基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力,在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。对发展具有抗辐照能力的非易失性铁电存储器及其在航空航天、核工业、医疗业等行业的应用具有重要的意义。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充