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MEANS AND METHODS FOR GROWING PLANTS IN HIGH SALINITY OR BRACKISH WATER
专利权人:
LOTVAK; Izhak Levi
发明人:
LOTVAK, Izhak Levi,SHANI, Gil,RONEN, Eyal
申请号:
IBIB2012/055301
公开号:
WO2013/050945A3
申请日:
2012.10.03
申请国别(地区):
WO
年份:
2013
代理人:
摘要:
A method of growing plants in high salinity is hereby presented. The method comprises steps of obtaining a pressurised cultivation system (PCS) having a pressure vessel for growing at least one plant on a media or substrate, the pressure vessel housing at least the roots of said at least one plant, a source of saline water and a high pneumatic pressure production unit operatively connected to said pressure vessel for providing higher than ambient pressure to said pressure vessel, thereby maintaining said roots of said at least one plant under high pressure during growth, planting a plant in the pressure vessel such that at least a portion of said roots are hermetically sealed within said pressure vessel, providing saline or brackish water to said media and pressurising said vessel. Systems and devices for the above are described.Linvention concerne un procédé de culture de plantes en milieu de forte salinité. Le procédé consiste à mettre en oeuvre un système de culture sous pression (PCS) équipé dun récipient sous pression pour cultiver au moins une plante sur un milieu de culture ou substrat de croissance, le récipient sous pression logeant au moins les racines de la plante, une source deau salée et une unité de production de haute pression pneumatique étant reliées de manière fonctionnelle au récipient sous pression pour lui transmettre une pression plus élevée que la pression ambiante, ce qui permet de maintenir les racines de la plante sous haute pression pendant sa croissance. Le procédé consiste ensuite à: planter une plante dans le récipient sous pression de façon à isoler hermétiquement au moins une partie des racines à lintérieur du récipient sous pression alimenter le milieu de culture en eau salée ou saumâtre et mettre le récipient sous pression. On décrit des systèmes et des dispositifs associés.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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