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STRUCTURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
专利权人:
Canon Kabushiki Kaisha
发明人:
申请号:
EP12772518.2
公开号:
EP2753961A2
申请日:
2012.08.07
申请国别(地区):
EP
年份:
2014
代理人:
摘要:
A method for manufacturing a structure by using a silicon mold, in which disturbances in arrangement due to charges are reduced, can be provided. The method for manufacturing a structure includes the steps of forming a recessed portion in a silicon substrate, cleaning, drying, or conveying the silicon substrate while charges of a plurality of portions sandwiched between the recessed portion are removed, and filling a metal into the recessed portion of the silicon substrate subjected to the cleaning, drying, or conveying.La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure au moyen d'un moule de silicium, permettant de réduire les perturbations de disposition dues aux charges. Le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : la formation d'une partie renfoncée dans un substrat de silicium; le nettoyage, le séchage ou le transport du substrat de silicium tout en retirant les charges d'une pluralité de parties intercalées entre la partie renfoncée; et l'introduction d'un métal dans la partie renfoncée du substrat de silicium soumis au nettoyage, au séchage ou au transport.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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