超声探测器及其制造方法
- 专利权人:
- 三星电子株式会社
- 发明人:
- 金东铉
- 申请号：
- CN201210538800.X
- 公开号：
- CN103156640A
- 申请日:
- 2012.12.13
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种超声探测器及其制造方法。这里公开了具有由改变声阻的结构形成的衬垫层的超声探测器及其制造方法。该超声探测器包括压电层以及提供在压电层的后表面上的衬垫层，该衬垫层包括在其前表面上沿长度方向形成的多个切口，该前表面邻近压电层的后表面，切口形成为使得切口之间的间隔改变。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
