Eine elektronische Schaltung mit einer oder mehreren Halbleiterkomponenten (10) zum Einsatz in einer Apparatur für MR-(=«magnetische Resonanz»)-Spektroskopie oder -Tomographie mit einem vorzugsweise supraleitenden Magneten zur Erzeugung eines Magnetfeldes in Richtung einer z-Achse in einem auf der z-Achse um z=0 angeordneten Arbeitsvolumen, wobei die elektronische Schaltung als Bestandteil einer kryogenen MR-Empfangs- und/oder MR-Sendevorrichtung bei einer Betriebstemperatur unter 100K sowie in einem Magnetfeld B 0 von mindestens 1T in der MR-Apparatur angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Halbleiterübergang mindestens einer der Halbleiterkomponenten der elektronischen Schaltung so angeordnet ist, dass die mittlere Bewegungsrichtung der Ladungsträger im Halbleiterübergang im Wesentlichen parallel zu den magnetischen Feldlinien des Magnetfeldes B 0 verläuft, wobei die entsprechende Halbleiterkomponente direkt auf einem Träger (12) angeordnet ist, der aus einem Material mit thermisch gut leitenden Eigenschaften aufgebaut ist. Damit lässt sich eine unverfälschte Charakteristik der verwendeten Halbleiterkomponenten trotz des sehr starken Magnetfeldes und der tiefen Betriebstemperaturen sicherstellen.An electronic circuit having one or more semiconductor components (10) for use in an apparatus for MR (= "magnetic resonance") spectroscopy or tomography with a preferably superconducting magnet for generating a magnetic field in the direction of a z-axis in one on the z-axis arranged around z = 0 working volume, wherein the electronic circuit is arranged as part of a cryogenic MR receiving and / or MR transmitting device at an operating temperature below 100K and in a magnetic field B 0 of at least 1T in the MR apparatus is characterized in that at least one semiconductor junction of at least one of the semiconductor components of the electronic circuit is arranged so that the mean direction of movement of the charge carriers in the semiconductor j
