In the present invention, a sensor chip has a substrate, a metal pattern formed on the side which is irradiated with excitation light on the substrate, and a first and second substance formed in the vicinity of the metal pattern. A first intensity (Xa) of first surface-enhanced Raman scattering light from the first substance is detected, and a second intensity (Xb) of second surface-enhanced Raman scattering light from the second substance is detected. A intensity ratio (Xc) is calculated by dividing the second intensity (Xb) by the first intensity (Xa).La présente invention concerne notamment une pastille de capteur dotée dun substrat, dun motif métallique formé sur la face irradiée par une lumière dexcitation sur le substrat, et des première et deuxième substances formées au voisinage du motif métallique. Une première intensité Xa dune première lumière de diffusion Raman exaltée de surface provenant de la première substance est détectée, et une deuxième intensité Xb dune deuxième lumière de diffusion Raman exaltée de surface provenant de la deuxième substance est détectée. Un rapport dintensité Xc est calculé en divisant la deuxième intensité Xb par la première intensité Xa.センサーチップは、基板と、基板上で励起光が照射される側に形成された金属パターンと、金属パターンの近傍に形成された第一物質、および、第二物質とを有する。第一物質からの第一表面増強ラマン散乱光の第一強度Xaと、第二物質からの第二表面増強ラマン散乱光の第二強度Xbを検出する。第二強度Xbを第一強度Xaで除した強度比率Xcを算出する。
