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开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管芯片的方法
- 专利权人:
- 鞍山市良溪电力科技有限公司
- 发明人:
- 于能斌,于泽,张宏伟,王景波,刘欣宇
- 申请号：
- CN201410487951.6
- 公开号：
- CN104299901A
- 申请日:
- 2014.09.22
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 张群
- 摘要：
- 本发明涉及一种开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管芯片的方法，包括1)工艺环境准备；2)超声波清洗；3)硅片清洗；4)清洗石英架、石英砣：5)硅片硼-铝扩散；6)氧化；7)一次光刻；8)磷扩散；9)割圆；10)烧结；11)二次光刻与蒸发一次成型；12)合金；13)台面处理；14)测试。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)采用硼-铝一次扩散，保证PN结前沿平缓及产品的一致性；2)采用二次光刻与蒸发一次成型技术，简化工序，降低物理损伤，提高成品率和产品性能的可靠性；3)在超净工艺环境中操作，特殊的清洗方法及优质清洗试剂保证长的少子寿命；4)新型烧结技术保证烧结变形小，粘接牢固，保证扩散参数稳定不变。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
