一种二硫化铼纳米片的制备方法及应用
- 专利权人:
- 肇庆市华师大光电产业研究院
- 发明人:
- 张璋,刘元武,张旭岩,容诗雅,宋伟铭,张颖
- 申请号：
- CN202010577737.5
- 公开号：
- CN111792675A
- 申请日:
- 2020.06.23
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明属于光催化材料制备技术领域，公开了一种二硫化铼纳米片的制备方法及应用，本发明以ReO3作为铼源、以硫粉作为硫源，在基底上采用化学气相沉积法制备得到二硫化铼纳米片。该方法操作简单、生长温度低；制备生长的二硫化铼纳米片结晶性好，物化性质稳定，活性位点多，能够获得优良的光催化效率。本发明方法制备所得的二硫化铼纳米片具有自发垂直生长的特性，与其他平面纳米材料相比，这种形貌可以暴露出大量边缘位置，以获得更高密度的催化活性位点和更大的浸润面积，具有很高的光催化杀菌效率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
