SHI XIAOBO,시 시아보,MURELLA KRISHNA P.,뮤렐라 크리스나 피,ROSE JOSEPH D.,로즈 조셉 디,ZHOU HONGJUN,조우 홍쥔,O′NEILL MARK LEONARD,오닐 마크 레오날드,O'NEILL MARK LEONARD
申请号：
KR1020190097322
公开号：
KR1020200018339A
申请日:
2019.08.09
申请国别(地区):
KR
年份:
2020
代理人:
摘要：
The present invention relates to a chemical mechanical planarization polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) application fields. The CMP composition comprises: ceria-coated inorganic metal oxide particles as an abrasive, such as ceria-coated silica particles； a chemical additive selected from a first group of nonionic organic molecules having a plurality of hydroxyl functional groups in the same molecule； a chemical additive selected from a second group of aromatic organic molecules having sulfonic acid groups or sulfonate salt functional groups； a water-soluble solvent； and an optionally biocide and pH adjusting agent, wherein the composition has a pH of 2 to 12, preferably 3 to 10, more preferably 4 to 9.COPYRIGHT KIPO 2020본 발명은 얕은 트렌치 격리(STI) 응용분야에 대한 화학적 기계적 평탄화 연마(CMP) 조성물을 제공한다. CMP 조성물은 연마재로서 세리아 코팅된 무기 금속 산화물 입자, 예컨대 세리아-코팅된 실리카 입자； 동일한 분자에 복수의 하이드록실 작용기를 갖는 비이온성 유기 분자의 제1 그룹으로부터 선택된 화학 첨가제； 설폰산기 또는 설포네이트염 작용기를 갖는 방향족 유기 분자의 제2 그룹으로부터 선택된 화학 첨가제； 수용성 용매； 및 임의로 살생물제 및 pH 조절제를 함유하며； 여기서 조성물은 2 내지 12, 바람직하게는 3 내지 10, 더 바람직하게는 4 내지 9의 pH를 가진다.
