The present disclosure describes systems and methods for deep brain stimulation leads. More specifically, the present disclosure describes a stimulation lead that includes one or more silicon-based barrier layers in a MEMS film. Silicon-based barrier layers can improve device reliability and durability. Silicon-based barrier layers can also improve adhesion between layers of MEMS films.本開示は、深部脳刺激リードのためのシステムおよび方法を記載する。より具体的には、本開示は、MEMSフィルム内に一つまたは複数のケイ素系バリヤ層を含む刺激リードを記載する。ケイ素系バリヤ層は装置信頼性および耐久性を改善することができる。ケイ素系バリヤ層はまた、MEMSフィルムの層間の接着を改善することができる。
