您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

METHOD FOR REPAIRING EXTENSIVE DEFECT OF BOTTOM OF ANTERIOR CRANIAL FOSSA
专利权人:
RJABOVA ANASTASIJA IGOREVNA
发明人:
RJABOVA ANASTASIJA IGOREVNA,Рябова Анастасия Игоревна,NOVIKOV VALERIJ ALEKSANDROVICH,Новиков Валерий Александрович,GJUNTER VIKTOR EHDUARDOVICH,Гюнтер Виктор Эдуардович,SYRKASHEV VLADIMIR ANATOLEVICH,С
申请号:
RU2014120794
公开号:
RU2570619C1
申请日:
2014.05.22
申请国别(地区):
RU
年份:
2015
代理人:
摘要:
FIELD: medicine.SUBSTANCE: defect of the bottom of the anterior cranial fossa is replaced with a prepared individual endoprosthesis made of porous titanium nickelide placed on the periphery of the defect on the side of the cranial cavity. The defect of the bottom of the anterior cranial fossa is preliminary coated with a pericranial periosteal flap supplied by frontal and supraorbital arteries and fixed to the periphery of the skull base defect with an adhesive composition. The above endoprosthesis is place over the above pericranial defect, and the dura mater defect is closed with using a broad fascia.EFFECT: method enables reducing postoperative complications that is ensured by reliable seal of the cranial cavity that prevents liquorrhea and protection of paranasal sinuses against infections.4 dwg, 1 exИзобретение относится к медицине, а именно к нейрохирургии. Осуществляют замещение дефекта дна передней черепной ямки заранее изготовленным индивидуальным эндопротезом из пористого никелида титана, укладываемым на краях дефекта со стороны полости черепа. При этом дефект дна передней черепной ямки предварительно укрывают перикраниальным надкостничным лоскутом на надблоковых и надглазничных артериях, фиксируя его к краям дефекта основания черепа клеевой композицией. Поверх перикраниального лоскута устанавливают указанный эндопротез и ушивают дефект твердой мозговой оболочки с использованием широкой фасции бедра. Способ позволяет снизить послеоперационные осложнения, что достигается за счет надежной герметизации полости черепа, приводящей к предотвращению ликвореи и защите околоносовых пазух носа от инфицирования. 4 ил., 1 пр.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
相关专利

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充