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一种大容量梯度板式阵列电容芯片及其制备方法
- 专利权人:
- 电子科技大学
- 发明人:
- 徐自强,王晓薇,孙洋涛,廖家轩,吴孟强,李元勋
- 申请号：
- CN201710572948.8
- 公开号：
- CN107591256A
- 申请日:
- 2017.07.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 吴姗霖
- 摘要：
- 一种大容量梯度板式阵列电容芯片及其制备方法，属于多层陶瓷器件领域。所述板式阵列电容芯片包括第一芯片、以及镶嵌于第一芯片中的第二芯片，所述第一芯片采用介电常数为1000～10000的第一介电陶瓷粉料制得，第二芯片采用介电常数为4～20的第二介电陶瓷粉料制得。本发明板式阵列电容芯片是由两个不同介电常数的介质材料制作的芯片焊接形成的，充分利用不同材料之间介电常数的显著差异，实现了孔位的大容量梯度，其最大容量梯度可以实现10000:1以上；本发明板式阵列电容芯片的制备方法简单，无需对现有设备改造，且得到的板式阵列电容芯片兼具传统板式电容可靠性高和易于装配的优点，可以广泛应用于航空航天滤波连接器中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
