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抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法
- 专利权人:
- 贵州振华风光半导体有限公司
- 发明人:
- 杨成刚,赵晓辉,苏贵东,聂平健,路兰艳,杨晓琴
- 申请号：
- CN201510880957.4
- 公开号：
- CN105428298A
- 申请日:
- 2015.12.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 刘安宁
- 摘要：
- 抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽用陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高薄膜混合集成电路抗干扰能力的目的。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
