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MASQUE ULTRASONORE ET DISPOSITIF DE SOIN DE LA PEAU LE COMPRENANT
专利权人:
엘지이노텍 주식회사;LG INNOTEK CO., LTD.
发明人:
KEUM, Do Hee,금도희,OH, Min Seok,오민석,LEE, Sang Young,이상영
申请号:
KRKR2020/002713
公开号:
WO2020/184868A1
申请日:
2020.02.26
申请国别(地区):
KR
年份:
2020
代理人:
摘要:
An ultrasonic mask according to an embodiment comprises: a first substrate; a first wire disposed on the upper surface of the first substrate; a second substrate disposed above the first substrate; a second wire disposed on the lower surface of the second substrate; a piezoelectric member between the first substrate and the second substrate; a first electrode connected to the first wire and disposed on the lower surface of the piezoelectric member; and a second electrode connected to the second wire and disposed on the upper surface of the piezoelectric member, wherein the first wire and the second wire have curvatures of 5R to 15R, and the piezoelectric member generates an ultrasonic wave having a frequency band of 20kHz to 1MHz.Un masque ultrasonore selon un mode de réalisation comprend : un premier substrat ; un premier fil disposé sur la surface supérieure du premier substrat ; un deuxième substrat disposé au-dessus du premier substrat ; un deuxième fil disposé sur la surface inférieure du deuxième substrat ; un élément piézoélectrique entre le premier substrat et le deuxième substrat ; une première électrode connectée au premier fil et disposée sur la surface inférieure de l'élément piézoélectrique ; et une deuxième électrode connectée au deuxième fil et disposée sur la surface supérieure de l'élément piézoélectrique, le premier fil et le deuxième fil présentant des courbures de 5R à 15R et l'élément piézoélectrique générant une onde ultrasonore présentant une bande de fréquence de 20 kHz à 1 MHz.실시예에 따른 초음파 마스크는, 제 1 기재; 상기 제 1 기재의 상면에 배치되는 제 1 배선; 상기 제 1 기재의 상부에 배치되는 제 2 기재; 상기 제 2 기재의 하면에 배치되는 제 2 배선; 상기 제 1 기재 및 상기 제 2 기재 사이의 압전 부재; 상기 제 1 배선과 연결되고, 상기 압전 부재의 하면에 배치되는 제 1 전극; 및 상기 제 2 배선과 연결되고, 상기 압전 부재의 상면에 배치되는 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 배선 및 상기 제 2 배선은 5R 내지 15R의 곡률을 가지고, 상기 압전 부재는 20㎑ 내지 1㎒ 주파수 대역의 초음파를 발생한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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