可以生成负离子的粉体材料及其制备方法
- 专利权人:
- 成都云士达科技有限公司
- 发明人:
- 姚清群
- 申请号：
- CN201610690936.0
- 公开号：
- CN106310523A
- 申请日:
- 2016.08.20
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了可以生成负离子的粉体材料及其制备方法，所述粉体材料由以下重量份计的成分组成：电气石材料 30~60份；混合稀土材料或氧化稀土材料30~50份；半导体催化材料8~18份；辅助激发材料 8~20份；所述制备方法包括以下具体步骤：将电气石材料粉碎，并焙烧；将焙烧后的电气石材料加入研磨设备中进行超细粉碎；研磨处理即将结束时，加入表面处理剂进行表面处理；将混合稀土材料或者氧化稀土材料研磨至粒径分布小于1μm、半导体催化材料研磨至粒径分布小于0.5μm、辅助激发材料研磨至粒径分布小于0.2μm；粉体材料能够自动的释放负离子；制备方法，可以制备出可以生成负离子的粉体材料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
