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하전 입자 발생 장치
专利权人:
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
发明人:
JUNG, MOON YOUNKR,정문연,KIM, JIN SUNKR,김진선
申请号:
KR1020170078729
公开号:
KR1020180054410A
申请日:
2017.06.21
申请国别(地区):
KR
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention provides a charged particle generating device having improved charged particle generating efficiency. The charged particle generating device comprises: a light source part emitting a laser a target layer receiving the laser, and emitting charged particles and a focusing structure located between the light source part and the target layer, and focusing the laser. The focusing structure includes solid films and void parts alternately and repeatedly located along a first direction parallel to the upper surface of the target layer. Each of the void parts includes a porous film.COPYRIGHT KIPO 2018하전 입자 발생 장치는 레이저를 방출하는 광원부, 레이저를 수용하여 하전 입자를 방출하는 타겟층, 및 광원부와 타겟층 사이에 배치되어, 레이저를 집속시키는 포커싱 구조체를 포함하되, 포커싱 구조체는 타겟층의 상면에 평행한 제1 방향을 따라 교대로 그리고 반복적으로 배치되는 솔리드 막들 및 공극부들을 포함하고, 공극부들의 각각은 다공성 막을 포함한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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