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一种大肠杆菌O157:H7菌膜的培养方法
专利权人:
华东理工大学
发明人:
王平,王宜冰,孙文
申请号:
CN201710264608.9
公开号:
CN107022508A
申请日:
2017.04.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
翟羽
摘要:
本发明公开一种大肠杆菌O157:H7菌膜的培养方法,所述培养方法为“吸附—生长”两步法,前培养使用LB培养基,吸附时使用LB培养基,生长时使用MM培养基,并且在菌膜生长时聚苯乙烯板最外侧孔洞加入无菌水。本发明着眼于食源性致病菌大肠杆菌O157:H7菌膜的培养方法,创立了“吸附‑生长”两步法,不同阶段所用的培养基和培养时间不同,生长时使用营养成分更少的MM培养基,并且生长时在外侧孔洞加入无菌水使得整个生长环境一致,优化了菌膜生长效率,为实验研究微生物菌膜提供有效技术方案。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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