一种原位氢氧化镁纳米片层修饰的镁合金及其制备和应用
- 专利权人:
- 深圳市中科摩方科技有限公司
- 发明人:
- 王国敏,王怀雨,朱剑豪
- 申请号：
- CN201910818027.4
- 公开号：
- CN110592571A
- 申请日:
- 2019.30.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种镁合金材料,其为原位氢氧化镁纳米片层修饰的镁合金。所述材料由镁合金在碱性条件下通过水热反应制备得到。该原位形成的氢氧化镁纳米片层结构的保护作用使得镁合金的抗腐蚀性显著增强,同时由于可以显著降低镁离子释放速率,生物相容性也会显著改善。此外,该二维纳米层结构具有依赖于接触的非释放性的物理抗菌性能。因此,根据本发明的该镁合金材料在医用植入体领域具有极高的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
