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一种薰衣草快速繁殖的方法
- 专利权人:
- 中国科学院武汉植物园
- 发明人:
- 杨波,李洪林
- 申请号：
- CN201210279425.1
- 公开号：
- CN102823492B
- 申请日:
- 2012.08.08
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 王敏峰
- 摘要：
- 本发明公开了一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤：a、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用0.1%氯化汞消毒，用无菌水冲洗，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28℃，光照强度3000～10000Lx，每天光照12-16小时，培养5-7天，其侧芽长出新梢；b、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次；c、从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30～40天后即可生根移栽；本发明方法易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壮、成活率高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
