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Method and system for determining settings for deep brain stimulation therapy
专利权人:
サピエンス ステアリング ブレイン スティムレーション ベー ヴィ;ニューロネクサス テクノロジーズ,インク.
发明人:
エミル トーダー,ヒュベルト セシール フランソワ マルテンス,ミシェル マーセル ジョセ デクレ,ブゼラール フランシスカス パウルス マリア,ピーター ジェリット ブランケン,デイビット ジェームス アンダーソン
申请号:
JP2012555524
公开号:
JP2013521042A
申请日:
2011.02.25
申请国别(地区):
JP
年份:
2013
代理人:
摘要:
A method and a control system (20) are provided for determining a relation between stimulation settings for a brain stimulation probe (10) and a corresponding V-field. The brain stimulation probe (10) comprises multiple stimulation electrodes (11). The V-field is an electrical field in brain tissue surrounding the stimulation electrodes (11). The method comprises sequentially applying a test current to n stimulation electrodes (11), n being a number between 2 and the number of stimulation electrodes (11) of the brain stimulation probe (10), for each test current at one of the n stimulation electrodes (11), measuring a resulting excitation voltage at m stimulation electrodes, m being a number between 2 and the number of stimulation electrodes (11) of the brain stimulation probe (10), from the stimulation settings and the measured excitation voltages, deriving an (m*{acute over (&eegr;)}) coupling matrix, an element (q, p) in the coupling matrix reflecting an amount of electrical impedance between two of the stimulation electrodes (11), and using the coupling matrix for determining the relation between the stimulation settings and the corresponding V-field.脳刺激プローブ用の刺激設定と、対応するVフィールドとの関係を決定する、方法および制御システムが提供される。脳刺激プローブは、多数の刺激電極を含む。Vフィールドは、刺激電極を囲む脳組織内の電場である。本方法は、n個の刺激電極に試験電流を連続して加えるステップであって、nは、2と脳刺激プローブに属する刺激電極の数との間の数であるステップと、n個の刺激電極のうちの1つの電極における各試験電流に対して、m個の刺激電極において結果として生じる励起電圧を測定するステップであって、mは、2と脳刺激プローブに属する刺激電極の数との間の数であるステップと、刺激設定および測定された励起電圧から、(m*n)結合行列を導き出すステップであって、結合行列内の要素(q,p)は、刺激電極のうちの2つの電極間の電気インピーダンスの量を反映するステップと、結合行列を用いて、刺激設定と、対応するVフィールドとの関係を決定するステップとを含む。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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