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高深宽比微结构中底部电极表面的检测装置和检测方法
- 专利权人:
- 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 发明人:
- 于中尧
- 申请号：
- CN201410251035.2
- 公开号：
- CN104007147A
- 申请日:
- 2014.06.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 路凯`胡彬
- 摘要：
- 本发明公开了高深宽比微结构中底部电极表面检测的装置和检测方法，其中，所述装置包括该高深宽比微结构包括：至少一个高深宽比结构，与每个高深宽比结构对应的一个底部电极和一个引出电极，底部电极与引出电极相连，所述装置还包括：围堰、导电溶液、公共电极、测试电极和测试系统，其中，围堰位于高深宽比微结构上，并与高深宽比微结构配合形成容器，导电溶液盛放与围堰与高深宽比微结构形成的容器中，公共电极位于导电溶液中，测试电极与引出电极连接，测试系统连接于公共电极和测试电极之间。本发明能够检测到底部电极表面用肉眼无法观测到的表面残留物，检测装置结构简单，检测方法易于操作。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
