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泥炭藓的人工种植
- 专利权人:
- 蔡奇英;姚成义;刘东晓
- 发明人:
- 蔡奇英,姚成义,刘东晓,聂小满,原博,高林峰,高岩,刘可,林敏,杨柏云
- 申请号：
- CN200810100566.6
- 公开号：
- CN101406128A
- 申请日:
- 2008.05.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2009
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种新型的高效的植物繁育基质，取生活的泥炭藓等的植物体或茎和分枝，去掉杂质并清洗后，用剪刀将其截断成适当长度(0.1cm-200cm)的茎段后，播种在具有合适孔径的网格或支架上，再把网格或支架固定放置在高湿度的环境中，即可以直接放置在水或合适的溶液(如改进的Knop培养基)中，或者紧密接触液体的表面，或者在液体表面上100cm的范围以内，或放置在湿度为50～100％的空气环境里，种植环境的温度为5～30℃、光照强度为200～20000lx，并经过适当的后期配套管理，包括喷施添加营养物或者肥料，通入CO2等，泥炭藓在此条件下就可以稳定生长，平均生长速度为1cm～100cm/月。生长到一定长度后，收割泥炭藓茎的部分使用，将剩余的部分保留继续按照上述方法生长，泥炭藓可以无限制地人工种植和持续收获。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
