脑部电损毁电极
- 专利权人:
- 中国科学院昆明动物研究所
- 发明人:
- 杨上川,胡新天,江慧慧,马原野
- 申请号：
- CN201220159329.9
- 公开号：
- CN202619842U
- 申请日:
- 2012.04.16
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 脑部电损毁电极，属生命科学试验研究用装置技术领域。包含有：一导管，一管塞，一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点：可在一次性插入导管的情况下，对较大区域的脑结构进行电损毁，对其他部位脑组织的损伤较小，可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
