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３Ｄメモリに対するアクセス動作のための階層モード
- 专利权人:
- インテル・コーポレーション
- 发明人:
- タンザワ、トル
- 申请号：
- JP20170528453
- 公开号：
- JP2018501598(A)
- 申请日:
- 2015.11.27
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- ３次元（３Ｄ）メモリデバイス用の階層アクセスモードであって、３Ｄデバイスは複数のメモリ素子を有し、それぞれがワード線アドレスおよびビット線アドレスを含む２次元アドレスと、メモリデバイスの複数のメモリ素子の階層の複数の部分のうちの１つを指示するサブブロックセレクタを用いた３次元とによってアドレス可能である。メモリコントローラは、メモリの第１の部分にアクセスするべく読み出しまたはプログラム等のメモリアクセスコマンドを生成し、コマンドをメモリデバイスに送信する。メモリデバイスは、コマンドの受信に応答して第１のワード線および第１のサブブロックを充電する。メモリの第２の部分にアクセスする連続アクセスコマンドのために、メモリデバイスは、充電された第１のワード線を、それを放電しないで維持
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
